1972年造出中国光刻机的厂家,去卖副食品了

文丨做好自己

从我国光刻机发展的历史角度,简单说一下我国光刻技术的发展脉络。

图片丨1972年毛泽东会见美国总统尼克松,那时中国人是站着的
图片丨1972年毛泽东会见美国总统尼克松,那时中国人是站着的

不是中国人造不出光刻机!

我国早在60年代就曾自主探索光刻机领域且制造技术在当时世界各国中较为先进,那时如今的光刻机巨头ASML还没诞生,日本的Nikon和Canon于60年代末才刚刚开始进入这个领域。

图片丨1975年,第一台每秒钟运算一百万次的集成电路电子计算机的试制成功

1962年我国第一代硅平面晶体管问世。而平面工艺,主要就是利用光刻技术和二氧化硅膜的掩蔽作用来进行选择扩散和电极的蒸发。

随之而来的是1965年,我国第一块集成电路问世,基本说明我国利用光刻技术制造集成电路的时间线可以推到60年代中期。

可见,中国光刻工艺的研究,虽比美国稍晚,但跟日本差不多同时起步,比韩国、中国台湾早10年。

到70年代,中国电子元件的规模制造已在几个主要城市开展。1972年,武汉无线电元件三厂编写出版了《光刻掩模版的制造》,如图所示:

图片丨1972年武汉无线电元件三厂编写出版的《光刻掩模版的制造》
图片丨1972年武汉无线电元件三厂编写出版的《光刻掩模版的制造》

1965年中国科学院研制出65型接触式光刻机。随后上海光学机械厂也试制成功了半自动接触式光刻机。

1970年代,中国科学院也开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。

70年代末,中国科学院半导体所开始研制JK-1型半自动接近式光刻机,并在1981年研制成功两台样机,并在生产线中投入使用。

清华大学研制第四代分步式投影光刻机,并在1980年获得成功,光刻精度达到3微米,接近国际主流水平。机电部45所也研制出了分步光刻机样机,采用436纳米G线光源。

图片丨光致抗蚀剂光刻胶封面
图片丨光致抗蚀剂光刻胶封面

但是很可惜,在1980年代放弃电子工业的自主攻关,诸如光刻机等科技计划被迫下马。

图片丨jkg-3型光刻机是1981年研制成功的,此后研发停止
图片丨jkg-3型光刻机是1981年研制成功的,此后研发停止

像上面提到的武汉无线电元件三厂,1994年破产改制,摸着石头、迎着“春风”卖副食品去了。

从今天来看,当年退局放下攻关还是不理智、不长远的。上海微电子在2002年承担光刻机攻关项目时还聘用了45所从事分步投影光刻机的技术人员,可见这十余年间光刻相关技术人才出现了断档。

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参考资料:

  1. 《仪器制造》1981,NO5,P45
  2. 《光电工程》1981年第05期

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